![]() Apparatus for driving liquid crystal element
专利摘要:
公开号:WO1985002273A1 申请号:PCT/JP1983/000435 申请日:1983-12-13 公开日:1985-05-23 发明作者:Hiroshi Itoh;Yasutoshi Suzuki;Tsuyoshi Fukada;Shinya Ohmi;Kunihiko Hara 申请人:Nippondenso Co., Ltd.; IPC主号:G02F1-00
专利说明:
[0001] 明 細 害 液晶棄子駆動装置 技術分野 [0002] 本発明は、 動作温度範囲、 特に低温領域の拡大を図った液晶素 子の駆動装置に関し、 例えば、 D S M液晶を用いた自動車の防眩 型反射镜等のように、 低温度から高温度に至る広温度範囲で使用 される液晶素子の駆動に用いられる。 [0003] " 背景技術 [0004] 従来、 D S M (ダイナミ ックスキヤタリ ングモー ド) 液晶素子 は、 D S Mを発生するしきい値電圧が温度によって変化し、 低温 になると、 しきい値電圧が高く なるという特性を有している。 従 つて、 液晶素子の消費電力を低く押さえるために、 駆動電圧を低 く設定すると動作可能な温度範囲が抉く 、 低温領域では使用でき ないことになる。 又、 逆に温度範囲を広げるために駆動電圧を高 く すれば消費電力が增加すると共に、 常温下では、 しきい値電圧 より もはるかに大きな過剌な電圧が印加されるために素子の寿命 の短縮の原因となる。 [0005] また、 本発明者等の実験によれば、 D S M液晶素子のしきい値 電圧の温度特性が周波数をパラメ ータとして、 第 1図に示すよう になることがわかった。 この実験に用いられた D S M液晶素子は、 液晶材料にネマティ ック液晶 D N M— 4 (大日本塗料社製) を用 い、 基板には平行配向処理を施し、 その間隔を 1 0 mにしたも のである。 この特性図からわかる様に、 一定の周波数の電圧で駆 動した場合には、 温度が低く なるに従って、 しきい値電圧は上昇 する。 又、 低温になる程しきい値電圧が上昇する傾向は、 駆動周 波数が高いほど大き く、 同一湛度では駆動周波数が高いほどしき ぃ值電圧も高いことがわかる, [0006] 従って、 低温での動作溢度範囲を拡大するためには、 先ず低周 波で駆動する方が望ましい。 しかしながら、 液晶棄子の D S Mに よって生じる白潜は、 周波数が商いほど均一であるという特性も 得られている。 そのため、 周波数をあまり低くすることもできな い β [0007] 又、 駆動電圧を一定値に高く設定すれば動作湿度範囲の拡大が 図れるが、 消費電力が增加し、 素子の寿命を短く し、 さらには、 電搔が着色されるという現象がみられた。 本発明は、 これらの実 験から考え出されたものである。 [0008] 従って、 本発明は、 商溢領域では駆動周波数を高く、 駆動電圧 を低く し、 低 a領域になるに従って駆動周波数を低くするととも に、 駆動電圧を商くすることにより、 消 «電力の節減、 素子寿命 の县期化、 ならびに動作溘度範囲の拡大を図った液晶棄子の駆動 装置を提供することを目的とする。 発明の関示 [0009] 本発明の概略構成を第 2図に示す。 この第 2図において、 度 センサ 2は、 液晶素子 1 0の温度を検出するものである。 この温 度センサはサーミ スタ、 白金を用いた測温抵抗体、 熱電対等が用 いられる。 電圧制御手段 4は温度センサ 2の出力信号を入力し、 液虽の 度が低くなるにつれて、 液晶素子に印加される電圧が上 昇する直流電圧を発生する面路手段である。 従って、 一定の直流 電圧を設定し、 この ί直から液晶の温度が高くなるにつれて、 上昇 する電圧を引く ことによって得られる電圧制御手段も舍まれる。 [0010] この電圧制御手段はシャフ ト レギユレータ、 シリ ーズレギユ レ一 タ、 スィ ツチングレギユレータ等の直流安定化電源により実現で [0011] ΟΜΡΙ [0012] WIPO きる。 又、 発振手段は、 矩形波発振器、 正弦波発振器等が使用で き、 発振周波数の変化は、 慼温抵抗体の抵抗値の変化によって、 発振時定数を変化させることによって実現できる。 変調手段 8 は 電圧制御手段 4から出力される直流電圧を入力し、 該電圧を発振 手段 6 から出力される電圧の周波数に関連した周波数を有する交 流電圧に変換する変調手段である。 最も、 一般的には、 発振手段 6の発振周波数と等しい周波数に変換する。 これらの変調手段は, 矩形波に対しては、 スイ ッチング トランジスタ、 正弦波に対して は、 正弦波信号を搬送波とし、 電圧制御手段の出力を変調信号と する公知の変躕手段が使える。 変調手段 8の出力は液晶素子 1 0 のー对の電極に印加される。 本発明は、 このような構成から成る ものである。 [0013] 従って、 上記構成から成る本発明によれば、 駆動周波数を温度 の低下と共に減少させているので、 駆動電圧を低温領域において それほど上昇させる必要がなく消費電力の増加を防止することが できる。 又、 低温になるほど駆動電圧を上昇させ、 常温で使用し ている時には駆動電圧を低電圧とするため、 消費電力を增加させ ることなく 、 又素子の寿命を劣化させることなく 、 低温での動作 温度領域の拡大を図るこ とができる。 図面の簡単な説明 [0014] 第 1図は D S M液晶素子のしきい値電圧の温度特性を周波数を バラメ ータとして測定したグラフ、 第 2図は本発明の概念を示す ブロ ックダイアグラム、 第 3図は本発明の具体的な一実施例にか かる液晶素子駆動装置の電気回路図、 第 4図は同実施例装置の電 圧制御手段の出力電圧の温度特性を示す特性図、 第 5図は同実施 例装置の発振手段の発振周波数の溫度特性を示す特性図である。 [0015] OMPI ^ 発明の実施するための最良の形態 [0016] 以下、 本発明の具体的な実施例に基づいて詳しく鋭明する。 [0017] 本実施例は、 D S M液晶を反射镜の前面に設けた防眩型反射镜 の駆動装置に応用したものである。 この防眩型反射鏡は、 液晶素 子に電圧を印加し、 D S Mを発生させ、 光を液晶層で散乱させる ことによって反射镜の反射率を低下させて防眩作用を行なうよう にしたものである。 この防眩作用は、 光電変換素子によって検出 された光の強度が一定レベル以上になった時に、 電圧を D S M液 Sに印加することによって達成される。 [0018] 本実施例では、 電圧制御手段 4は、 スイ ッチングレギユレータ を用いた。 このスィ ツチングレギユ レータは T L 4 7 9 C N集積 回路 (テキサスィ ンスツルメ ン ト社製) を用いている。 このスィ ツチングレギユレータ I C 1 は車載バッテリから給電されている < その出力電圧 V 1 の抵抗 R 1 と R 2によって分割された電圧 V 2 が、 検出され、 スィ ツチングレギユ レータ I C 1 の検出電圧とな る。 又、 温度センサであるサーミ スタ 2 1が抵抗 R 1 と並列に設 けられている。 そのサーミ スタ 2 1 は、 防眩型反射镜に取付けら れており、 液晶素子 1 0の温度を検出する。 このサーミ スタ 2 1 の抵抗値は負温度特性を有する。 従って、 サーミ スタ 2 1 の検出 する温度が低くなると、 その抵抗は上昇し、 検出電圧 V 2は低く なる β この検出電圧 V 2 は、 スイ ッチングレギユ レータ I C 1 の 内部に有する基準電圧と比較されて、 その差が 0になる様に出力 電圧 V 1が鑭整される。 即ち、 出力電圧 V 1 は上昇し、 検出電圧 [0019] V 2が基準電圧と等し く なる様にスィ ツチングレギユ レータ I C 1が作動する。 従って、 溘度が下がるにつれて出力電圧 V 1 ば上 昇する。 [0020] 一方、 発振手段 6には、 C一 Μ 0 Sから成るイ ンバータ 6 1 > 6 2 , 6 3から構成されるパルスオシレータを用いている。 この [0021] O PI [0022] 、 WIPO パルスオシレータは、 抵抗 R 3 とコ ンデンサ C 1 の値によって決 められる時定数に基づいて発振周波数が決定される。 一方、 抵抗 [0023] R 3の両端には温度センサ 2であるサーミ スタ 2 2が並列に接続 されている。 このサー ミ スタ 2 2 はサー ミ スタ 2 1 と同じく液晶 素子 1 0の温度を検出するためのセンサである。 温度が低下する とサー ミ スタ 2 2 と抵抗 R 3の合成抵抗は大き く なる。 従って、 パルスオシレータの発振周波数は低く なる。 この様に温度が低下 すると発振周波数を低く することができる。 [0024] 変調手段 8 は、 ト ラ ンジスタ T R 1 と ト ラ ンジスタ T R 2 とか ら成る。 トランジスタ T R 1および T R 2のコ レクタには、 抵抗 [0025] R 4 、 R 5を介してスィ ツチングレギユ レータ I C 1 の出力電圧 [0026] V 1 が入力する。 又、 トランジスタ T R 1及び T R 2のベース端 子は、 抵抗 R 6及び R 7を介してバルスオシレータの出力電圧 V 3力 、 排他的論理和回路 9 1 の出力電圧 V 7がそれぞれ入力して いる。 [0027] 又、 反射鏡に入射する光の強度を検出し、 これが所定のレベル 以上のときに防眩作用を与えるための防眩信号を出力する防眩 0 路 9 は、 光の強度を検出するフォ トダイォー ド D 1 、 その出力電 圧 V 4 の信号を反転するィ ンバータ 9 2及び排他的論理和回路 9 1 とから成る。 [0028] 反射鏡に入射する光の強度が小さい時には、 イ ンバータ 9 2の 入力電圧は、 高レベルになり、 ィ ンバータ 9 2 の出力電圧 V 5 は 低レベルとなる。 従って、 排他的論理和回路 9 1 の出力電圧 V 7 は、 他端子の入力電圧 V 3 と同相である。 従って、 トランジスタ [0029] T R 1 と T R 2 のベース電圧 V 6 、 V 7 は同相となる。 このため、 液晶素子 1 0の両端の電極に印加される電圧 V 8及び V 9 は同相 の交流矩形電圧となる。 従って、 液晶 1 0の両端間の電位差は零 ' となる。 よって、 液晶は動的散乱を生じないので防眩作用は行わ [0030] OMPI [0031] V IPO [0032] ' ΑΤΐΟ れない。 [0033] 一方、 反射镜に入射する光の強度が大き くなると、 電圧 V 4は低 レベルとなり、 従って、 電圧 V 5は高レベルとなる。 このため電 圧 V 7は、 バルスオシレータの出力電圧 V 3 と逆位相になる。 従 つて トランジスタ T R 1 と T R 2のベース電圧 V 6、 V 7は相互 に逆位相となる。 このため液晶素子 1 0の両繍にかかる電圧 V 8 - V 9 は、 逆位相となるので、 液晶素子の電柽間には、 交流電圧が 印加されることになる。 その交流電圧の振幅は、 スィ ツチングレ ギユ レ一夕 I C 1の出力電圧 V I の 2倍に等しい、 この様に、 液 晶素子 1 0 には、 周波数がパルスォシレータの出力電圧の周波数 に!^しく、 振幅がスィ ツチングレギユレータ I c 1の出力電圧 V [0034] 1に等しい交流矩形波電圧が印加される。 従って液晶素子 1 0 は [0035] D S Mを生じ、 その液晶層による散乱のため反射鏡は防眩作用を 発撵する。 [0036] 第 4図は、 本実施例の電圧制御手段 4の出力する電圧 V 1の温 度特性を測定したものである。 このグラフから分かる様に温度が 低下するに従って、 駆勤電圧 V 1 は上昇しているのが分かる。 [0037] 本実施例では 2 5 でにおいて 2 5 ボルトで駆動し、 一 3 0 ·(:で 約 4 0 ボル トに上昇させている。 [0038] 第 5図は、 本実施例の発振手段 6の出力電圧 V 3の周波数の温 度特性を測定したグラフである。 このグラフから分かるように温 度が低下するに従って発振周波数は小さ く なっているのが分かる《 本実施例では 2 5 でにおいて 3 7 H zで駆動し、 一 3 0 でにおい て 1 7 H zに低下させている。 [0039] この様にして、 液晶素子の温度が低下するにつれて、 駆動電圧 を上昇させ、 しかも駆動周波数を低下させることにより、 駆勖電 圧をそれほど上昇させなくても低温の動作温度領域を拡大させる ことができた。 [0040] V IPO 産業上の利用可能性 [0041] 以上のような、 本発明に係る液晶素子駆動装置は、 自動車用ルー ムミ ラー、 ドア ミ ラー等の防眩型反射鏡、 あるいは自動車用液晶 メ ータ等に適用することができる。 [0042] O PI [0043] - ϋつ
权利要求:
Claims l i 求の範囲 1.液晶素子の温度を検出する温度センサと、 前記温度センサの出力信号を入力し、 前記液 S素子の温度が低 温になるに従って、 出力電圧を上昇する電圧制御手段と、 前記溢度センサの出力信号を入力し、 前記液晶素子の温度が低 温になるに従って、 発振周波数を低下する発振手段と、 前記電圧制御手段と、 前記発振手段からの出力電圧を入力し、 前記電圧制御手段の出力電圧を、 前記発振手段の発振周波数によ つて決定される周波数の交流電圧に変調して前記液晶素子に印加 する変調手段とから成る液晶素子駆動装置。 2.前記液晶素子は D S M液晶素子である請求の範囲第 1項記載 の液晶素子駆動装置。 O PI - - WIPO
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引用文献:
公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
法律状态:
1985-05-23| AK| Designated states|Designated state(s): AU US | 1985-05-23| AL| Designated countries for regional patents|Designated state(s): DE FR GB |
优先权:
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申请号 | 申请日 | 专利标题 相关专利
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